-
Flanged -finaĵo
Flankaj finaĵoj estas instalitaj ĉe la fino de cirkvito, kiu sorbas signalojn transdonitajn en la cirkvito kaj malhelpas signalan reflektadon, tiel influante la transdonan kvaliton de la cirkvitsistemo. La grandeco de la flano estas kutime desegnita surbaze de la kombinaĵo de instalaj truoj kaj fina rezistaj dimensioj. Personigo ankaŭ povas esti farita laŭ la uzaj postuloj de la kliento.
-
Rftxxn-100aj8957-3 plumbo atenuator dc ~ 3.0GHz rf atenuator
Model RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=Attenuation value) Impedance 50 Ω Frequency Range DC~3.0GHz VSWR 1.20 max Rated Power 100 W Attenuation Value 13、20、30dB Attenuation Tolerance ±1.0dB Temperature coefficient <150ppm/℃ Substrate Material AlN Porcelain Hat Material Medium Lead 99.99% Sterling Silver Resistance Technology Thick Film Operating Temperature -55 ĝis +150 ° C (vidu De -Potenco -de -rangigo) Skizo -desegno (unuo: mm/cola) Plumbo -longo povas esti agordita akordi ... -
Microstrip Attenuator
MicroStrip Attenuator estas aparato, kiu ludas rolon en signala atenuado ene de la mikroonda frekvenca bando. Fari ĝin en fiksan atenuilon estas vaste uzata en kampoj kiel mikroonda komunikado, radar -sistemoj, satelita komunikado, ktp., Provizante kontroleblan signalan atenuan funkcion por cirkvitoj.
Propra dezajno havebla laŭ peto.
-
RFT20N-60AM6363-6 Plumita Atenuilo DC ~ 6.0GHz RF Attenuator
Modelo RFT20N-60AM6363-6 (xx = atenua valoro) Impedanco 50 Ω frekvenca gamo DC ~ 6.0GHz VSWR 1.25 Maksimume taksita potenco 60 W atenua valoro 20dB Attenuation Tolerance ± 0.8 dB temperatur-koeficiaĵo <150ppm/℃ substrata materialo alnikulo alnikelain alnikea terational-a armilscelain alnike coe2-a armilstern teknologio coe2-a armilscele alnike coe2 -55 ĝis +150 ° C (vidu De -Potenco -de -rangigo) Skiza desegno (unuo: mm/cola) Plumbo -longo povas esti agordita laŭ Cust ... -
RFTXX-60AM6363B-3 Plumita Attenuator DC ~ 3.0GHz RF Attenuator
Modelo RFTXX-60AM6363B-3 (xx = atenua valoro) impedanco 50 Ω frekvenca gamo DC ~ 3.0GHz VSWR 1.25 Maksimume taksita potenco 60 W atenua valoro 01-10dB/16dB/20dB-atenado toleremo ± 0.6db/± 0.8db/± ± 0.8db/± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± 0. Porcelana ĉapelo Materialo AL2O3 plumbo 99.99% sterlinga arĝenta rezista teknologio dika filmo funkcianta temperaturo -55 ĝis +150 ° C (vidu de -potenca de -rangigo) streka desegno (unuo: mm/cola) plumbo povas esti Cu ... -
RFTXXA-05AM0404-3 Plumita Atenuilo DC ~ 3.0GHz RF Attenuator
Modelo RFTXXA-05AM0404-3 (xx = atenua valoro) impedanco 50 Ω frekvenca gamo DC ~ 3.0GHz VSWR 1.20 Maksimuma Potenco 5 W atenua valoro (dB) 01-10/15, 17, 20/25，30 Attenuation Tolerance COE (DB) ± 0.6/± 0.8/± 0.8/± 0.8/± ± 0.8/± ± 0.8/± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± 0. Porcelana ĉapelo materialo AL2O3 plumbo 99.99% sterlinga arĝenta rezista teknologio dika filmo funkcianta temperaturo -55 ĝis +150 ° C (vidu de -potenca de -rangigo) streka desegno (unuo: mm/cola) plumbo ... -
MicroStrip Circulator
MicroStrip -cirkulilo estas ofte uzata RF -mikroonda aparato uzata por signal -transdono kaj izolado en cirkvitoj. Ĝi uzas maldikan filmteknologion por krei cirkviton sur rotacianta magneta ferrito, kaj poste aldonas magnetan kampon por atingi ĝin. La instalado de mikrostrip -anulaj aparatoj ĝenerale adoptas la metodon de mana soldado aŭ ora drato -ligado kun kupraj strioj. La strukturo de mikrostrip -cirkuliloj estas tre simpla, kompare kun koaksiaj kaj enigitaj cirkuliloj. La plej evidenta diferenco estas, ke ne ekzistas kavo, kaj la ŝoforo de la mikrostrip -cirkulilo estas farita per maldika filmprocezo (vakua sputtering) por krei la projektitan ŝablonon sur la rotacia ferrito. Post elektroplatado, la produktita konduktilo estas ligita al la rotacia ferrita substrato. Ligu tavolon de izolanta mezo sur la grafeo, kaj riparu magnetan kampon sur la mediumo. Kun tia simpla strukturo, mikrostrip -cirkulilo estis fabrikita.
Frekvenca gamo 2.7 ĝis 40GHz.
Militaj, spacaj kaj komercaj aplikoj.
Malalta enmeta perdo, alta izolado, alta potenco -uzado.
Propra dezajno havebla laŭ peto.
-
Larĝbenda cirkulilo
Larĝbenda cirkulilo estas grava ero en RF -komunikaj sistemoj, provizante serion de avantaĝoj, kiuj faras ĝin tre taŭga por diversaj aplikoj. Ĉi tiuj cirkulantoj provizas larĝbendan kovradon, certigante efikan rendimenton super larĝa frekvenca gamo. Kun sia kapablo izoli signalojn, ili povas malhelpi enmiksiĝon de eksteraj signaloj kaj konservi la integrecon de en bandaj signaloj. Unu el la ĉefaj avantaĝoj de larĝbendaj cirkuliloj estas ilia bonega alta izolita agado. Samtempe, ĉi tiuj ringformaj aparatoj havas bonajn havenajn starantajn ondajn trajtojn, reduktante reflektitajn signalojn kaj konservante stabilan signalan transdonon.
Ofteco -gamo 56MHz ĝis 40GHz, BW ĝis 13.5GHz.
Militaj, spacaj kaj komercaj aplikoj.
Malalta enmeta perdo, alta izolado, alta potenco -uzado.
Propra dezajno havebla laŭ peto.
-
RFTXX-60CA6363B-3 CHIP Attenuator DC ~ 3.0GHz RF Attenuator
Modelo RFTXX-60CA6363B-3 (XX = Atenua Valoro) Rezista gamo 50 Ω frekvenca gamo DC ~ 3.0GHz VSWR 1.25 Maksimuma potenco 60 W atenua valoro (dB) 01-10DB/11-20dB/21-30dB-atenado (DB) ± 0.6DB/21-30DB-tolereco (DB) ± 0.6DB/0. <150ppm/℃ Substratmaterialo BEO-Rezista Teknologio Dika Filma Funkcia Temperaturo -55 ĝis +150 ° C (Vidu De-Potenco De-rangigo) Instala Metodo Potenco De-Rapida Reflow Solda Tempo & Temperatura Diagramo P/N Nomado ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 Chip Attenuator DC ~ 3.0GHz RF Attenuator
Modelo RFTXXN-20CA5025C-3 (xx = atenua valoro) Rezista gamo 50 Ω frekvenca gamo dc ~ 3.0GHz VSWR 1.25 maksimuma potenco 20 W atenua valoro (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30db attenuation tolerance (DB) ± 0.6db/± 0.6db/± 0.6db/± 0.6db/± 0.6db/± 0.6db/± 0.6dbm Substratmaterialo Aln Rezisto Teknologio Dika Filma Funkcia Temperaturo -55 ĝis +150 ° C (vidu De -Potenco -Malplenigo) Tipa Rendimento: 2dB Grafiko 20DB Grafiko 6dB Grafiko 30dB Grafika Instalado -Metodo ... -
RFTXXN-10CA5025C-6 Chip Attenuator DC ~ 6.0GHz RF Attenuator
Model RFTXXN-10CA5025C-6 (XX= Attenuation value) Resistance Range 50 Ω Frequency Range DC~6.0GHz VSWR 1.25 max Power 10 W Attenuation Value(dB) 01-10dB/11-20dB Attenuation Tolerance(dB) ±0.6dB/±0.8dB Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate Material AlN Resistance Technology Thick Film Operating Temperature -55 ĝis +150 ° C (vidu De-Potenco-de-rangigo) Tipa Rendimento: 6dB Grafiko 20DB Grafika Instalado-Metodo Potenco Malplenigi Reflow Solding Time & ... -
RFTXX-250RM1313K Kondukita Rezistilo RF-Rezisto
Model RFTXX-250RM1313K Power 250 W Resistance XX Ω~ (10-1000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Capacitance 2.0 PF@100Ω Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Lead Copper silver plating Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Nomado Uzu atenton ■ Post la stokada periodo de ĵus aĉetitaj komponentoj superas 6 mon ...
