-
RFTXX-30CR6363C Ĉipa Rezistilo RF-Rezistilo
Modelo RFTXX-30CR6363C Povumo 30W Rezisto XX Ω (10~3000Ω Personigebla) Rezisto Toleremo ±5% Temperaturkoeficiento <150ppm/℃ Substrato BeO Rezista elemento Dika filmo Funkciiga temperaturo -55 ĝis +150°C (Vidu Potenco-malaltigon) Sugestitaj muntaj proceduroj Potenco-malaltigo Reflua profilo P/N Nomo Uzatentu ■ Post kiam la stokado de nove aĉetitaj partoj superas 6 monatojn, oni devas atenti la veldeblon antaŭ uzo. Estas rekomendinde ... -
RFTXX-30CR2550W Ĉipa Rezistilo RF-Rezistilo
Modelo RFTXX-30CR2550W Povumo 30 W Rezisto XX Ω (10~3000Ω Agordebla) Rezisto Toleremo ±5% Temperaturkoeficiento <150ppm/℃ Substrato BeO Rezista elemento Dika filmo Funkciiga temperaturo -55 ĝis +150°C (Vidu Potenco-malaltigon) Sugestitaj muntaj proceduroj Potenco-malaltigo Reflua profilo P/N Nomo Uzatentu ■ Post kiam la stokado de nove aĉetitaj partoj superas 6 monatojn, oni devas atenti la veldeblon antaŭ uzo. Estas rekomendinde... -
RFTXX-30CR2550TA Ĉipa Rezistilo RF-Rezistilo
Modelo RFTXX-30CR2550TA Povumo 30W Rezisto XX Ω (10~3000Ω Agordebla) Rezisto Toleremo ±5% Temperaturkoeficiento <150ppm/℃ Substrato BeO Rezista elemento Dika filmo Funkciiga temperaturo -55 ĝis +150°C (Vidu Potenco-malaltigon) Sugestitaj muntaj proceduroj Potenco-malaltigo Reflua profilo P/N Nomo Uzatentu ■ Post kiam la stokado de nove aĉetitaj partoj superas 6 monatojn, oni devas atenti la veldeblon antaŭ uzo. Estas rekomendinde... -
RFTXX-30RM2006 Flanĝita Rezistilo RF-Rezistilo
Modelo RFTXX-30RM2006 Povumo 30 W Rezisto XX Ω (10~2000Ω Agordebla) Rezisto Toleremo ±5% Kapacitanco 2.6 PF@100Ω Temperaturkoeficiento <150ppm/℃ Substrato BeO Kovrilo AL2O3 Munta Flanĝo Latuno Plumbo 99.99% pura arĝento Rezista Elemento Dika Filmo Funkciiga Temperaturo -55 ĝis +150°C (Vidu Potenco-Malaltigon) Skiza Desegnaĵo (Unuo: mm) La longo de la kondukta drato povas plenumi la postulojn de la kliento Grandeca Toleremo：5% krom se alie indikite Sugesto... -
RFTXX-30RM1306 RF-Rezistilo
Modelo RFTXX-30RM1306 Povumo 30 W Rezisto XX Ω (10~2000Ω Agordebla) Rezisto Toleremo ±5% Kapacitanco 2.6 PF@100Ω Temperaturkoeficiento <150ppm/℃ Substrato BeO Kovrilo AL2O3 Munta Flanĝo Latuno Plumbo 99.99% pura arĝento Rezista Elemento Dika Filmo Funkciiga Temperaturo -55 ĝis +150°C (Vidu Potenco-Malaltigon) Skiza Desegnaĵo (Unuo: mm) La longo de la kondukta drato povas plenumi la postulojn de la kliento Grandeca Toleremo：5% krom se alie indikite Sugestita... -
Duobla Krucvoja Izolilo
Duobla krucvoja izolilo estas pasiva aparato ofte uzata en mikroondaj kaj milimetraj ondoj por izoli inversajn signalojn de la antena fino. Ĝi konsistas el la strukturo de du izoliloj. Ĝia enmeta perdo kaj izolado estas tipe duoble pli grandaj ol tiuj de unuopa izolilo. Se la izolado de unuopa izolilo estas 20dB, la izolado de duobla krucvoja izolilo ofte povas esti 40dB. La porta VSWR ne multe ŝanĝiĝas. En la sistemo, kiam la radiofrekvenca signalo estas transdonita de la eniga pordo al la unua ringa krucvojo, ĉar unu fino de la unua ringa krucvojo estas ekipita per radiofrekvenca rezistilo, ĝia signalo povas esti transdonita nur al la eniga fino de la dua ringa krucvojo. La dua bukla krucvojo estas la sama kiel la unua, kun RF-rezistiloj instalitaj, la signalo estos pasita al la elira pordo, kaj ĝia izolado estos la sumo de la izolado de la du buklaj krucvojoj. La inversa signalo revenanta de la elira pordo estos absorbita de la RF-rezistilo en la dua ringa krucvojo. Tiel oni atingas grandan gradon da izoliteco inter la enigaj kaj eligaj pordoj, efike reduktante reflektojn kaj interferojn en la sistemo.
Frekvenca gamo 10MHz ĝis 40GHz, ĝis 500W potenco.
Armeaj, spacaj kaj komercaj aplikoj.
Malalta enmetperdo, alta izoliteco, alta potenco-traktado.
Laŭmenda dezajno havebla laŭpete.
-
SMT/SMD-izolilo
SMD-izolilo estas izola aparato uzata por pakado kaj instalado sur presita cirkvitplato (PCB). Ili estas vaste uzataj en komunikaj sistemoj, mikroondaj ekipaĵoj, radioekipaĵoj kaj aliaj kampoj. SMD-izoliloj estas malgrandaj, malpezaj kaj facile instaleblaj, kio taŭgas por aplikoj de alt-densecaj integraj cirkvitoj. La sekvanta provizos detalan enkondukon al la karakterizaĵoj kaj aplikoj de SMD-izoliloj. Unue, SMD-izoliloj havas larĝan gamon da kapabloj pri kovrado de frekvencbendoj. Ili tipe kovras larĝan frekvencan gamon, kiel ekzemple 400MHz-18GHz, por plenumi la frekvencajn postulojn de malsamaj aplikoj. Ĉi tiu ampleksa kapablo pri kovrado de frekvencbendoj ebligas al SMD-izoliloj funkcii bonege en pluraj aplikaĵaj scenaroj.
Frekvenca gamo 200MHz ĝis 15GHz.
Armeaj, spacaj kaj komercaj aplikoj.
Malalta enmetperdo, alta izoliteco, alta potenco-traktado.
Laŭmenda dezajno havebla laŭpete.
-
RFTXX-20RM0904 RF-Rezistilo
Modelo RFTXX-20RM0904 Povumo 20 W Rezisto XX Ω (10~3000Ω Agordebla) Rezisto Toleremo ±5% Kapacitanco 1.2 PF@100Ω Temperaturkoeficiento <150ppm/℃ Substrato BeO Kovrilo AL2O3 Munta Flanĝo Latuno Plumbo 99.99% pura arĝento Rezista Elemento Dika Filmo Funkciiga Temperaturo -55 ĝis +150°C (Vidu Potenco-Malaltigon) Skiza Desegnaĵo (Unuo: mm) La longo de la kondukta drato povas plenumi la postulojn de la kliento Grandeca Toleremo：5% krom se alie indikite Sugestita... -
Mikrostripa Izolilo
Mikrostriaj izoliloj estas ofte uzataj RF kaj mikroondaj aparatoj uzataj por signala transdono kaj izolado en cirkvitoj. Ili uzas maldikan filmteknologion por krei cirkviton sur rotacianta magneta ferito, kaj poste aldonas magnetan kampon por atingi tion. La instalado de mikrostriaj izoliloj ĝenerale uzas la metodon de mana lutado de kupraj strioj aŭ ora drata ligado. La strukturo de mikrostriaj izoliloj estas tre simpla, kompare kun koaksialaj kaj enigitaj izoliloj. La plej evidenta diferenco estas, ke ne estas kavaĵo, kaj la konduktilo de la mikrostria izolilo estas farita per maldika filmprocezo (vakua ŝprucado) por krei la desegnitan ŝablonon sur la rotacianta ferito. Post galvanizado, la produktita konduktilo estas alkroĉita al la rotacianta feritosubstrato. Alkroĉu tavolon de izola medio sur la grafikaĵon, kaj fiksu magnetan kampon sur la medion. Kun tia simpla strukturo, mikrostria izolilo estas fabrikita.
Frekvenca gamo 2.7 ĝis 43GHz
Armeaj, spacaj kaj komercaj aplikoj.
Malalta enmetperdo, alta izoliteco, alta potenco-traktado.
Laŭmenda dezajno havebla laŭpete.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz Malalta Intermodulada Finiĝo
Modelo CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Frekvenca Gamo DC~3.0GHz VSWR 1.20 Maks. PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Povumo 50W Impedanco 50 Ω Konektilo-Tipo DIN-M (J) Akvorezista Grado IP65 Dimensio 60×60×80mm Funkciiga Temperaturo -55 ~ +125°C (Vidu Potenco-Malaltigon) Koloro Nigra Pezo Ĉirkaŭ 410 g Atentu Potenco-Malaltigo P/N Nomo -
RFTXX-20RM1304 RF-Rezistilo
Modelo RFTXX-20RM1304 Povumo 20 W Rezisto XX Ω (10~3000Ω Agordebla) Rezisto Toleremo ±5% Kapacitanco 1.2 PF@100Ω Temperaturkoeficiento <150ppm/℃ Substrato BeO Kovrilo AL2O3 Munta Flanĝo Latuno Plumbo 99.99% pura arĝento Rezista Elemento Dika Filmo Funkciiga Temperaturo -55 ĝis +150°C (Vidu Potenco-Malaltigon) Skiza Desegnaĵo (Unuo: mm) La longo de la kondukta drato povas plenumi la postulojn de la kliento Grandeca Toleremo：5% krom se alie indikite Sugesto... -
